P4C168 ， P4C169 ， P4C170
超高速4K ×4
靜態CMOS RAMS
特點
全CMOS ， 6T細胞
高速（平等機會和循環時間）
- 19 /15/20 /25 / 35ns的（商業）
- 20/25 /35 /五十五分之四十五/ 70ns的（ P4C168軍）
低功耗工作（商業）
- 715毫瓦活動
- 193 mW的待機（ TTL輸入） P4C168
- 83 mW的待機（ CMOS輸入） P4C168
單5V ± 10 ％電源
充分TTL兼容，通用I / O端口
三個選項
- P4C168低功耗待機模式
- P4C169快速的片選控制
- P4C170快速的片選，輸出使能
控制
標準引腳（ JEDEC批準）
- P4C168 ： 20引腳DIP ， SOJ ， LCC ， SOIC ，
CERPACK和扁平封裝
- P4C169 ： 20引腳DIP和SOIC
- P4C170 ： 22引腳DIP
描述
該P4C168 ， P4C169和P4C170是一個家庭的
16,384位超高速靜態RAM組織為4K
X 4.所有這三款器件具有共同的輸入/輸出ports.The
P4C168進入待機模式時，芯片使能
（ CE）控制變為高;與CMOS輸入電平，功率
消耗量是在這種模式下只有83mW 。無論是P4C169
和P4C170提供快速的芯片選擇訪問時間
只有67％的地址訪問時間。此外，該
P4C170包括一個輸出使能（OE ）控制來消除
內特數據總線爭。公羊從操作
單5V ±10 ％的容差的電源。
存取時間快12納秒是可用的，
允許大大提高了系統的運行速度。
CMOS用于減少功耗的低715
毫瓦活躍， 193 mW的待機。
該P4C168和P4C169在20引腳可用（ P4C170
在22針） 300萬DIP封裝提供卓越
板級密度。該P4C168也可在20-
銷300萬SOIC ， SOJ ， CERPACK和扁平封裝
包。
該P4C169還提供20引腳300密耳SOIC
封裝。
功能框圖
銷刀豆網絡gurations
P4C168
P4C169
DIP（ P 2， C 6 ， D 2）
DIP （P2）的
SOIC （S2）的
SOIC （S2）的
SOJ （ J2 ）
CERPACK （F2）
焊料密封扁平封裝（ FS - 2 ）
P4C170
DIP （P3）
文檔＃
SRAM107
REV A
1
修訂后的2005年10月
P4C168 ， P4C169 ， P4C170
交流特性，讀周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全溫度范圍）
(2)
符號
t
RC
t
AA
t
AC =
t
AC =
t
OH
t
LZ {
t
赫茲?
t
OE-
t
OLZ ?
t
OHZ ?
t
RCS
t
RCH
t
PU ...
t
PD =
讀周期時間
參數
-12
-15
-20
-25
-35
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
12
12
12
8
2
2
7
8
0
6
0
0
0
12
0
0
0
15
0
7
0
0
0
20
2
2
8
10
0
9
0
0
0
25
15
15
15
9
2
2
9
12
0
11
0
0
0
35
20
20
20
12
2
2
10
15
0
15
25
25
25
15
2
2
15
15
35
35
35
20
單位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
地址訪問時間
芯片使能存取時間
芯片選擇訪問時間
從地址變更輸出保持
芯片使能在低Z輸出
芯片禁用高Z輸出
輸出使能到數據有效
輸出使能到輸出中低Z
輸出禁止到輸出中高Z
READ命令設置時間
讀命令保持時間
芯片使能上電時間
芯片禁用斷電時間
交流特性 - 讀周期（續）
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全溫度范圍）
(2)
符號
t
RC
t
AA
t
AC =
t
OH
t
LZ {
t
赫茲?
t
RCS
t
RCH
t
PU ...
t
PD =
讀周期時間
參數
-45
-55
-70
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
45
45
45
2
2
25
0
0
0
45
0
0
0
55
2
2
25
0
0
0
70
55
55
55
2
2
30
70
70
70
單位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
地址訪問時間
芯片使能存取時間
從地址變更輸出保持
芯片使能在低Z輸出
芯片禁用高Z輸出
READ命令設置時間
讀命令保持時間
芯片使能上電時間
芯片禁用斷電時間
只有§ P4C168
只有? P4C170
?芯片選擇/取消選擇的P4C169和P4C170
文檔＃
SRAM107
REV A
第15 3
P4C168 ， P4C169 ， P4C170
讀循環中沒有時序波形。 1（地址控制）
(5,6)
注意事項：
5.
WE
為高的讀周期。
6.
CE / CS
和
OE
為低電平的讀周期。
讀循環中沒有時序波形。 2 （ CE
CS
控制）
(5,7)
CE / CS
CE
讀循環中沒有時序波形。 3 P4C170 ONLY （ OE控制）
(5)
OE
注意事項：
7.地址必須是有效的之前或與重合
CE / CS
過渡
低。對于快速
CS ，
t
AA
仍然必須滿足。
8.轉變是從穩態電壓前測量± 200mV的
改變，同時裝載如在圖1中指定。
9.讀周期時間是從最后一個有效地址測到第一
轉換地址。
文檔＃
SRAM107
REV A
第15 4
P4C168 ， P4C169 ， P4C170
AC電氣特性 - 寫周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全溫度范圍）
(2)
符號
t
WC
t
cw
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
寫周期時間
芯片使能時間結束寫的
地址有效到寫結束
地址建立時間
把脈沖寬度
地址保持時間
數據有效到寫結束
數據保持時間
寫使能到輸出中高Z
輸出寫入結束活動
0
參數
-12
-15
-20
-25
-35
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
12
12
12
0
12
0
7
0
4
0
15
15
15
0
15
0
8
0
5
0
18
18
18
0
18
0
10
0
6
0
20
20
20
0
20
0
10
0
7
0
30
30
30
0
30
0
15
0
13
單位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
AC電氣特性 - 寫周期（續）
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全溫度范圍）
(2)
符號
t
WC
t
cw
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
寫周期時間
芯片使能時間結束寫的
地址有效到寫結束
地址建立時間
把脈沖寬度
地址保持時間
數據有效到寫結束
數據保持時間
寫使能到輸出中高Z
輸出寫入結束活動
0
參數
-45
-55
-70
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
45
40
40
0
40
0
20
3
20
0
55
50
50
0
50
0
20
3
25
0
70
60
60
0
60
0
25
3
30
單位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
文檔＃
SRAM107
REV A
第15個5
