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CSD13306WT

發布時間:2019/7/29 11:00:00 訪問次數:49發布企業:深圳市科雨電子有限公司

CSD13306WT



製造商: Texas Instruments
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: DSBGA-6
通道數: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 12 V
Id - C連續漏極電流: 3.5 A
Rds On - 漏-源電阻: 10.2 mOhms
Vgs th - 門源門限電壓 : 700 mV
Vgs - 閘極-源極電壓: 10 V
Qg - 閘極充電: 8.6 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 1.9 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
公司名稱: NexFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 0.62 mm
長度: 1.5 mm
系列: CSD13306W
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 1 mm
品牌: Texas Instruments
互導 - 最小值: 15 S
下降時間: 8 ns
濕度敏感: Yes
產品類型: MOSFET
上升時間: 11 ns
原廠包裝數量: 250
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 20 ns
標準開啟延遲時間: 7 ns
每件重量: 1.700 mg


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