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FS150R12KT4

發布時間:2019/7/28 17:19:00 訪問次數:1475發布企業:深圳市明烽威電子有限公司

FS150R12KT4


FS150R12KT4


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FS150R12KT4

FS150R12KT4

FS150R12KT4

FP150R12KT4P_B11
FF900R12IE4PBOSA1
FS150R12KT4_B9
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 模塊
RoHS: 詳細信息
產品: IGBT Silicon Modules
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 150 A
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
Pd-功率耗散: 750 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: +/- 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs
零件號別名: FS150R12KT4B9
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 模塊
RoHS: 詳細信息
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
在25 C的連續集電極電流: 150 A
封裝 / 箱體: Econo 3
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
高度: 17 mm
長度: 122 mm
寬度: 62 mm
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: +/- 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs
零件號別名: FS150R12KT4

FS150R12KT4


FS150R12KT4


FS150R12KT4



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FP150R12KT4P_B11
FF900R12IE4PBOSA1
FS150R12KT4_B9
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 模塊
RoHS: 詳細信息
產品: IGBT Silicon Modules
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 150 A
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
Pd-功率耗散: 750 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: +/- 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs
零件號別名: FS150R12KT4B9
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 模塊
RoHS: 詳細信息
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
在25 C的連續集電極電流: 150 A
封裝 / 箱體: Econo 3
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
高度: 17 mm
長度: 122 mm
寬度: 62 mm
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: +/- 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs
零件號別名: FS150R12KT4

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